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產(chǎn)品分類

Product Categories
40VNMOS管 80N04 TO-263
40VNMOS管 80N04 TO-263
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：80N04
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題：40VNMOS管 80N04 TO-263 國(guó)產(chǎn)通用MOS 場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


40VNMOS管 80N04 TO-263 國(guó)產(chǎn)通用MOS 場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家



40VNMOS管 80N04的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



40VNMOS管 80N04的極限值：

(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓40
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃80A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃45
IDM漏極電流-脈沖120
EAS單脈沖雪崩能量76.1mJ
IAS雪崩電流39A
PD總耗散功率 TC=25℃44.6W
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻1.44
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150℃
TJ工作結(jié)溫-55~150



40VNMOS管 80N04的電特性：

(如無(wú)特殊說明，Tj=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4047
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=12A


67.5mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


912
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
39
S
Qg柵極電荷
18.8
nC
Qgs柵源電荷密度

4.7


Qgd柵漏電荷密度
8.2
Ciss輸入電容
2332
pF
Coss輸出電容
193
Crss反向傳輸電容
138
td(on)開啟延遲時(shí)間
14.3
ns
tr開啟上升時(shí)間

2.6


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
77
tf
開啟下降時(shí)間
4.8


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