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30VNMOS 50N03 PDFN3X3-8L 手機(jī)快充場效應(yīng)管 12mΩ 低內(nèi)阻MOS

低內(nèi)阻MOS 50N03的產(chǎn)品特點(diǎn)：

• V_DS=30V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V(Type：10.5mΩ)
  

低內(nèi)阻MOS 50N03的應(yīng)用領(lǐng)域：

• 鋰電池保護(hù)

• 手機(jī)快充

低內(nèi)阻MOS 50N03的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：50A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：75A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：24.2mJ

• 雪崩電流 I_AS：22A
  

• 總耗散功率 P_D：26W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：75℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：4.8℃/W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

低內(nèi)阻MOS 50N03的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)