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產(chǎn)品分類

Product Categories
40P04 PDFN3X3-8L 國產(chǎn)低壓MOS管
40P04 PDFN3X3-8L 國產(chǎn)低壓MOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:40P04
產(chǎn)品封裝:PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:PMOS -40V/-40A 18mΩ 40P04 PDFN3X3-8L 國產(chǎn)低壓MOS管 MOSFET參數(shù)
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


PMOS -40V/-40A 18mΩ 40P04 PDFN3X3-8L 國產(chǎn)低壓MOS管 MOSFET參數(shù)



國產(chǎn)低壓MOS管 40P04的引腳圖:

  • VDS=-40V

  • ID=-40A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V(Type:15mΩ)



國產(chǎn)低壓MOS管 40P04的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



國產(chǎn)低壓MOS管 40P04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-40A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-120A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:125mJ

  • 總耗散功率 PD:25W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:5℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



國產(chǎn)低壓MOS管 40P04的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40-44
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-30A


1518
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
25
nC
Qgs柵源電荷密度

11


Qgd柵漏電荷密度
9.5
Ciss輸入電容
2760
pF
Coss輸出電容
260
Crss反向傳輸電容
85
td(on)開啟延遲時間
48
ns
tr開啟上升時間

24


td(off)關(guān)斷延遲時間
88
tf
開啟下降時間
9.6


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