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產(chǎn)品分類

Product Categories
100VP溝道MOS管 30P10 TO-220
100VP溝道MOS管 30P10 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:30P10
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標題:100VP溝道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET應用 國內場效應管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


100VP溝道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET應用 國內場效應管



100VP溝道MOS管 30P10的特點:

  • VDS=-100V

  • ID=-30A

  • RDS(ON)<110mΩ@VGS=-10V



100VP溝道MOS管 30P10的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



100VP溝道MOS管 30P10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續(xù)

TC=25℃

-30A

漏極電流-連續(xù)

TC=100℃

-16
IDM漏極電流-脈沖-75
EAS單脈沖雪崩能量157.2mJ
IAS雪崩電流25A
PD總耗散功率

TC=25℃

96W
RθJA結到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.3
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



100VP溝道MOS管 30P10的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


7895
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


86110
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.7-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導

24
S
Qg柵極電荷
44.5
nC
Qgs柵源電荷密度

9.13


Qgd柵漏電荷密度
5.93
Ciss輸入電容
3029
pF
Coss輸出電容
129
Crss反向傳輸電容
76
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

27.4


td(off)關斷延遲時間
79
tf
開啟下降時間
53.6


100VP溝道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET應用 國內場效應管


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