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30N02 TO-252 太陽能用MOS管
30N02 TO-252 太陽能用MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:30N02
產品封裝:TO-252
產品標題:低壓NMOS 30N02 TO-252 太陽能用MOS管 20V/30A MOS管選型手冊
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


低壓NMOS 30N02 TO-252 太陽能用MOS管 20V/30A MOS管選型手冊



太陽能用MOS管 30N02的應用領域:

  • 太陽能路燈

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



太陽能用MOS管 30N02的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:30A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:50A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:8.1mJ

  • 雪崩電流 IAS:12.7A

  • 總耗散功率 PD:20.8W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:6℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



太陽能用MOS管 30N02的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7.6A


1115
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3.5A


15.520
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=1.8V,ID=2.5A


20.535
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.651V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.05
nC
Qgs柵源電荷密度

1.73


Qgd柵漏電荷密度
3.1
Ciss輸入電容
888
pF
Coss輸出電容
133
Crss反向傳輸電容
117
td(on)開啟延遲時間
7
ns
tr開啟上升時間

46


td(off)關斷延遲時間
30
tf
開啟下降時間
52


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