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產(chǎn)品分類

Product Categories
40V/12A LED照明用MOS管 12N04 ESOP-8
40V/12A LED照明用MOS管 12N04 ESOP-8
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：12N04
產(chǎn)品封裝：ESOP-8
產(chǎn)品標(biāo)題：40V/12A LED照明用MOS管 12N04 ESOP-8 37mΩ 貼片MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


40V/12A LED照明用MOS管 12N04 ESOP-8 37mΩ 貼片MOSFET



貼片MOSFET 12N04的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • LED 燈

  • 開(kāi)關(guān)電子管

  • LED 電源供應(yīng)



貼片MOSFET 12N04的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：42V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：12A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：38A

  • 總耗散功率 PD：1.9W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：40℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：65℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



貼片MOSFET 12N04的電特性：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4247
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=4A


3037mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


4050
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
8
S
Qg柵極電荷
5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.54


Qgd柵漏電荷密度
1.84
Ciss輸入電容
452
pF
Coss輸出電容
51
Crss反向傳輸電容
38
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
7.8
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

2.1


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
29
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
2.1


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