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產(chǎn)品分類

Product Categories
10N10 TO-252 100V/10A 國產(chǎn)N溝道MOS管
10N10 TO-252 100V/10A 國產(chǎn)N溝道MOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：10N10
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標題：MOSFET選型 10N10 TO-252 100V/10A N溝道MOS管 國產(chǎn)芯片MOS
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


MOSFET選型 10N10 TO-252 100V/10A N溝道MOS管 國產(chǎn)芯片MOS



N溝道MOS管 10N10的管腳配置圖：

image.png



N溝道MOS管 10N10的產(chǎn)品應(yīng)用：

  • 負載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



N溝道MOS管 10N10的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：10A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：24A

  • 總耗散功率 PD：30W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62.5℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：80℃/W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



N溝道MOS管 10N10的電特性：

(如無特殊說明，Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100120
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=5A


240280mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


260300
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.852.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
14
S
Qg柵極電荷
9.7
nC
Qgs柵源電荷密度

1.6


Qgd柵漏電荷密度
1.7
Ciss輸入電容
508
pF
Coss輸出電容
29
Crss反向傳輸電容
16.4
td(on)開啟延遲時間
1.6
ns
tr開啟上升時間

19


td(off)關(guān)斷延遲時間
13.6
tf
開啟下降時間
19


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