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產(chǎn)品分類

Product Categories
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 8P10 SOP-8
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 8P10 SOP-8
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：8P10
產(chǎn)品封裝：SOP-8
產(chǎn)品標(biāo)題：低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 8P10 SOP-8 P型MOSFET 電源MOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 8P10 SOP-8 P型MOSFET 電源MOS管



電源MOS管 8P10的產(chǎn)品應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



電源MOS管 8P10的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：-8A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：-18A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：56mJ

  • 雪崩電流 IAS：3.1A

  • 總耗散功率 PD：3.1W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：59℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：16℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



電源MOS管 8P10的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100-110
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-6A


83110mΩ

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-3A


95120
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.8-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
24
S
Qg柵極電荷
20.1
nC
Qgs柵源電荷密度
3.9
Qgd柵漏電荷密度
4.3
Ciss輸入電容
1051
pF
Coss輸出電容
119
Crss反向傳輸電容
25
td(on)開啟延遲時(shí)間
10
ns
tr開啟上升時(shí)間
30
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
77
tf
開啟下降時(shí)間
81


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