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產(chǎn)品分類

Product Categories
6N40 TO-252 國產(chǎn)NMOS管
6N40 TO-252 國產(chǎn)NMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:6N40
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:MOSFET選型 6N40 TO-252 400V/6A 國產(chǎn)NMOS管 大功率MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


MOSFET選型 6N40 TO-252 400V/6A 國產(chǎn)NMOS管 大功率MOS



國產(chǎn)NMOS管 6N40的產(chǎn)品特點:

  • VDS=400V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<1Ω@VGS=10V(Type:0.8Ω)



國產(chǎn)NMOS管 6N40的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:400V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:6A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:28A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:176mJ

  • 雪崩電流 IAR:7A

  • 重復雪崩能量 EAR:18mJ

  • 總耗散功率 PD:32.9W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:13.3℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:3.8℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



國產(chǎn)NMOS管 6N40的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓400440
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=3.5A


0.81Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19
nC
Qgs柵源電荷密度

3.7


Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
700
pF
Coss輸出電容
94
Crss反向傳輸電容
12
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

20


td(off)關(guān)斷延遲時間
76
tf
開啟下降時間
40


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