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產(chǎn)品分類

Product Categories
6N10 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全
6N10 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):6N10
產(chǎn)品封裝:SOT-23-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:功率MOS管 6N10 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全 N型MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


功率MOS管 6N10 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全 N型MOSFET



功率MOS管 6N10的引腳圖:

image.png



功率MOS管 6N10的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續(xù)

TA=25℃

6A

漏極電流-連續(xù)

TA=70℃

3.5
IDM漏極電流-脈沖18
PD

總耗散功

TA=25℃

3.1W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻135℃/W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



功率MOS管 6N10的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,Tj=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100108
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=4A


105125
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=2A


120145
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.72.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
3.57
nC
Qgs柵源電荷密度

0.76


Qgd柵漏電荷密度
0.71
Ciss輸入電容
582
pF
Coss輸出電容
330
Crss反向傳輸電容
36
td(on)開啟延遲時(shí)間
11
ns
tr開啟上升時(shí)間

6


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
30
tf
開啟下降時(shí)間
4


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