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產(chǎn)品分類

Product Categories
400V高壓MOS管 5N40 TO-252
400V高壓MOS管 5N40 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:5N40
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:400V高壓MOS管 5N40 TO-252 不間斷電源MOS 大功率MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


400V高壓MOS管 5N40 TO-252 不間斷電源MOS 大功率MOS



不間斷電源MOS 5N40的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



不間斷電源MOS 5N40的引腳配置圖:

image.png



不間斷電源MOS 5N40的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:500V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:5A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:20A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:90mJ

  • 雪崩電流 IAS:3A

  • 總耗散功率 PD:45W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:60℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:4.1℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



不間斷電源MOS 5N40的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓400440
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=2.5A


1.21.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
13.5
nC
Qgs柵源電荷密度

2


Qgd柵漏電荷密度
6
Ciss輸入電容
462
pF
Coss輸出電容
54.2
Crss反向傳輸電容
8.8
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間

25


td(off)關(guān)斷延遲時間
40
tf
開啟下降時間
52


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