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產(chǎn)品分類

Product Categories
國產(chǎn)MOSFET 5N06 SOT-89-3L
國產(chǎn)MOSFET 5N06 SOT-89-3L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:5N06
產(chǎn)品封裝:SOT-89-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:國產(chǎn)MOSFET 5N06 SOT-89-3L 低壓MOS管 60V/5.8A 80mΩ 鋰電池場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn)MOSFET 5N06 SOT-89-3L 低壓MOS管 60V/5.8A 80mΩ 鋰電池場效應(yīng)管



國產(chǎn)MOSFET 5N06的特點:

  • VDS=60V

  • ID=5.8A

  • RDS(ON)<80mΩ@VGS=10V(Type:65mΩ)



國產(chǎn)MOSFET 5N06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:5.8A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:15A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:6.2mJ

  • 雪崩電流 IAS:10A

  • 總耗散功率 PD:1.5W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:25℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



國產(chǎn)MOSFET 5N06的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6064
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=10A


6580
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=5A


7590
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
5.1
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2


Qgd柵漏電荷密度
1.5
Ciss輸入電容
330
pF
Coss輸出電容
65
Crss反向傳輸電容
46
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

51


td(off)關(guān)斷延遲時間
15.2
tf
開啟下降時間
10.3

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