電源用場效應(yīng)管 4N06 SOT-89-3L 貼片NMOS管 國產(chǎn)MOSFET
國產(chǎn)MOSFET 4N06的引腳圖：
國產(chǎn)MOSFET 4N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 4.8 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 15 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 6.2 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 48 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
國產(chǎn)MOSFET 4N06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A | 72 | 95 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 85 | 100 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 13 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5 | 7 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.68 | 2.4 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.9 | 2.7 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 511 | 715 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 38 | 53 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 25 | 35 | ||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 7.2 | 13 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 25 | 50 | ||
| tf | 開啟下降時間 | 14.4 | 28.8 |
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