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產(chǎn)品分類

Product Categories
100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管
100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管
產(chǎn)品品牌：
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：1N10
產(chǎn)品封裝：SOT-23
產(chǎn)品標(biāo)題：低壓MOSFET 100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管 MOS管應(yīng)用
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低壓MOSFET 100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管 MOS管應(yīng)用



低壓MOSFET 1N10的應(yīng)用：

  • 噴霧器

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • UPS 不間斷電源



低壓MOSFET 1N10的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：1.5A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：6A

  • 總耗散功率 PD：1.2W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：104℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：75℃/W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃



低壓MOSFET 1N10的電特性：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=1.5A


430500mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=1A


460550
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓1.21.82.5V
Qg柵極電荷
6.47
nC
Qgs柵源電荷密度

1.27
Qgd柵漏電荷密度
1.29
Ciss輸入電容
232
pF
Coss輸出電容
23
Crss反向傳輸電容
24
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
4.6
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間
18
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
16
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
27.4


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