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產(chǎn)品分類

Product Categories
大電流PMOS管 120P03 TO-252
大電流PMOS管 120P03 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:120P03
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:大電流PMOS管 120P03 TO-252 大功率MOS 30V/120A 低內(nèi)阻場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


大電流PMOS管 120P03 TO-252 大功率MOS 30V/120A 低內(nèi)阻場效應(yīng)管



大電流PMOS管 120P03的引腳圖:

image.png



大電流PMOS管 120P03的特點(diǎn):

  • VDS=-30V

  • ID=-120A

  • RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V



大電流PMOS管 120P03的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-120A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-400A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:225mJ

  • 總耗散功率 PD:103W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.46℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~175℃



大電流PMOS管 120P03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-33
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-30A


3.85.5

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


5.88.2
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
42
nC
Qgs柵源電荷密度
8.4
Qgd柵漏電荷密度
11.2
Ciss輸入電容
9400
pF
Coss輸出電容
1000
Crss反向傳輸電容
767
td(on)開啟延遲時間
15
ns
tr開啟上升時間
16
td(off)關(guān)斷延遲時間
69
tf
開啟下降時間
27


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