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產(chǎn)品分類

Product Categories
4957A SOP-8 30V雙PMOS管
4957A SOP-8 30V雙PMOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:4957A
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標(biāo)題:手機(jī)快充MOS管 4957A SOP-8 30V雙PMOS管 大芯片場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


手機(jī)快充MOS管 4957A SOP-8 30V雙PMOS管 大芯片場效應(yīng)管



30V雙PMOS管 4957A的管腳圖:

image.png



30V雙PMOS管 4957A的用途:

  • 鋰電池保護(hù)

  • 手機(jī)快充



30V雙PMOS管 4957A的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-30
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TA=25℃-8.8A
漏極電流-連續(xù) TA=70℃-6.3
IDM漏極電流-脈沖-32
EAS單脈沖雪崩能量81.2mJ
IAS
雪崩電流-42A
PD總耗散功率 TA=25℃1.5W
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻85℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻25
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



30V雙PMOS管 4957A的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-33
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-6A


1620
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-4A


2535
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
12.6
nC
Qgs柵源電荷密度

4.8
Qgd柵漏電荷密度
4.8
Ciss輸入電容
1345
pF
Coss輸出電容
194
Crss反向傳輸電容
158
td(on)開啟延遲時(shí)間
4.6
ns
tr開啟上升時(shí)間

14.8


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
41
tf
開啟下降時(shí)間
19.6


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