N+P功率MOS管 10G04 PDFN3X3-8L 無線充MOS管 40V低壓MOS
N+P功率MOS管 10G04的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=9.8A
RDS(ON)＜17mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-7.5A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
N+P功率MOS管 10G04的用途：
無線充電
無刷馬達(dá)
N+P功率MOS管 10G04的引腳圖：
N+P功率MOS管 10G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 9.8 | -7.5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 5.2 | -4.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 23 | -22 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 18 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
