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宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國(guó)產(chǎn)可控硅,高壓可控硅,達(dá)林頓芯片等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用服務(wù)。
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產(chǎn)品分類

Product Categories
N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L
N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):15G03
產(chǎn)品封裝:PDFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:國(guó)產(chǎn)替換MOS N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L 低壓MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國(guó)產(chǎn)替換MOS N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L 低壓MOSFET



國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的產(chǎn)品特點(diǎn):

1、N-CH:

  • VDS=30V

  • ID=18A

  • RDS(ON)<22mΩ@VGS=10V


2、P-CH:

  • VDS=-30V

  • ID=-15A

  • RDS(ON)<32mΩ@VGS=-10V



國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 無(wú)線充電

  • 無(wú)刷馬達(dá)



國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
N-CHP-CH
VDS漏極-源極電壓30-30
V
VGS柵極-源極電壓±20±20
ID漏極電流-連續(xù) (TA=25℃)18-15A
漏極電流-連續(xù) (TA=100℃)10-8
IDM漏極電流-脈沖52-46
EAS單脈沖雪崩能量2245mJ
IAS單脈沖雪崩電流2130A
PD總耗散功率 (TA=25℃)1818W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻5555℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻55
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150-55~150


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