宇芯微 30V 低壓N+PMOS管 8G03 ESOP-8 無線充用MOS MOSFET絲印
低壓N+PMOS管 8G03的特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=9.8A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-7.6A
RDS(ON)＜30mΩ@VGS=-10V
低壓N+PMOS管 8G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
無線充電
無刷馬達(dá)
低壓N+PMOS管 8G03的引腳圖：
低壓N+PMOS管 8G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 9.8 | -7.6 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 6 | -5.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 20 | -15 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 21 | 30 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 2 | 2 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
低壓N+PMOS管 8G03的封裝外形尺寸圖：
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