場效應(yīng)管主要參數(shù) 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增強型MOS 高頻電路MOS管
30V增強型MOS 5G03的產(chǎn)品特點：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=8A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-7.2A
RDS(ON)＜50mΩ@VGS=-10V
30V增強型MOS 5G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
功率切換應(yīng)用程序
硬開關(guān)和高頻電路
UPS 不間斷電源
30V增強型MOS 5G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 8 | -7.2 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 6 | -5.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 35 | -32 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 12 | 4 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 15 | 11 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 12 | 12 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 52.5 | 52.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5.8 | 5.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
30V增強型MOS 5G03的封裝外形尺寸圖：
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