手機快充MOS 30V 5G03 SOP-8 N+P溝道場效應管 MOSFET參數(shù)
手機快充MOS 5G03的產(chǎn)品應用：
手機快速充電
鋰電池保護
手機快充MOS 5G03的引腳圖：
手機快充MOS 5G03的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 6.2 | -4.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 5 | -3.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 24 | -24 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 26.6 | 37 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 12.7 | 15 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 60 | 60 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術支持新聞資訊關于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
