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產(chǎn)品分類

Product Categories
30V/10A N+N溝道MOS管 10H03 SOP-8
30V/10A N+N溝道MOS管 10H03 SOP-8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):10H03
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標(biāo)題:30V/10A N+N溝道MOS管 10H03 SOP-8 手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管絲印
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


30V/10A N+N溝道MOS管 10H03 SOP-8 手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管絲印



手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 10H03的管腳排列圖:

image.png



手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 10H03的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 鋰電池保護(hù)

  • 手機(jī)快充



手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 10H03的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)10A
IDM漏極電流-脈沖75
EAS單脈沖雪崩能量24.2mJ
IAS
單脈沖雪崩電流22A
PD總耗散功率 (TC=25℃)26W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻75℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻4.8
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



手機(jī)快充場(chǎng)效應(yīng)管 10H03的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=8A


912
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1418
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
24.4

S
Qg柵極電荷
9.82
nC
Qgs柵源電荷密度

2.24


Qgd柵漏電荷密度
5.54
Ciss輸入電容
896
pF
Coss輸出電容
126
Crss反向傳輸電容
108
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
6.4
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

39


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
21
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
4.7


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