電源用雙NMOS管 6H03 SOP-8 30V/7.8A 低壓MOSFET 場效應管引腳圖
電源用雙NMOS管 6H03的應用領域：
電源用雙NMOS管 6H03的特點：
VDS=30V
ID=7.8A
RDS(ON)＜22mΩ＠VGS=10V
封裝：SOP-8
電源用雙NMOS管 6H03的用途：
功率切換應用程序
硬開關和高頻電路
UPS 不間斷電源
電源用雙NMOS管 6H03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 7.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 25 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8.1 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 12.7 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 25 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
電源用雙NMOS管 6H03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 32.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 22 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 20 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 16 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 7.2 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 572 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 81 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 65 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 4.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9.8 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 15.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6 |
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