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產(chǎn)品分類

Product Categories
8808 DFN2X3-6L 20V雙N溝道MOSFET
8808 DFN2X3-6L 20V雙N溝道MOSFET
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):8808
產(chǎn)品封裝:DFN2X3-6L
產(chǎn)品標(biāo)題:UPS用MOS管 8808 DFN2X3-6L 20V雙N溝道MOSFET 低內(nèi)阻場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


UPS用MOS管 8808 DFN2X3-6L 20V雙N溝道MOSFET 低內(nèi)阻場效應(yīng)管



UPS用MOS管 8808的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • VDS=20V

  • ID=12A

  • RDS(ON)<7.2mΩ@VGS=4.5V

  • 封裝:DFN2X3-6L



UPS用MOS管 8808的管腳配置圖:

image.png



UPS用MOS管 8808的用途:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源



UPS用MOS管 8808的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓20
V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續(xù) (TA=25℃)8.8A
IDM漏極電流-脈沖70
PD總耗散功率 (TA=25℃)1.56W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻80℃/W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



UPS用MOS管 8808的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓20

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=5.5A

4.567.2
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4V,ID=5.5A

4.86.27.5
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=3.7V,ID=5.5A

56.58.2
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=3.1V,ID=5.5A

5.379
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=2.5V,ID=5.5A

68.210.2
VGS(th)
柵極開啟電壓0.5
1.5V
IGSS柵極漏電流

±10uA
gfs正向跨導(dǎo)
38
S
Qg柵極電荷(4.5V)
23
nC
Qgs柵源電荷密度

3.5


Qgd柵漏電荷密度
8.4
Ciss輸入電容
1767
pF
Coss輸出電容
184
Crss反向傳輸電容
155
td(on)開啟延遲時(shí)間
10.2
ns
tr開啟上升時(shí)間

41


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
67
tf
開啟下降時(shí)間
31


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