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產(chǎn)品分類

Product Categories
高壓插件MOS 6N80 TO-220
高壓插件MOS 6N80 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:6N80
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:高壓插件MOS 6N80 TO-220 常用場效應(yīng)管 N型MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


高壓插件MOS 6N80 TO-220 常用場效應(yīng)管 N型MOSFET



高壓插件MOS 6N80的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 消費電子電源電機控制

  • 同步整流

  • 同步整流應(yīng)用程序



高壓插件MOS 6N80的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓800
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)6A
IDM漏極電流-脈沖24
EAS單脈沖雪崩能量18mJ
PD總耗散功率 (TC=25℃)34.7W
總耗散功率 (TA=25℃)1.92
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻65℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.6
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結(jié)溫-55~+150



高壓插件MOS 6N80的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓800

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=3A



1.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2.5
4.5V
IGSS柵極漏電流

±1uA
gfs正向跨導(dǎo)
8
S
Qg柵極電荷
4165.6nC
Qgs柵源電荷密度

7


Qgd柵漏電荷密度
23
Ciss輸入電容
11301808pF
Coss輸出電容
56
Crss反向傳輸電容
12
td(on)開啟延遲時間
21
ns
tr開啟上升時間

41


td(off)關(guān)斷延遲時間
110
tf
開啟下降時間
48


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