功率MOSFET 800V高壓場效應管 4N80 TO-220 國產大芯片
功率MOSFET 4N80的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 800 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 4 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 16 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 32.9 | W |
| 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.92 | ||
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
功率MOSFET 4N80的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 800 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2A | 2.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 4.5 | V | |
| gfs | 正向跨導 | 5.3 | S | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±1 | uA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 27 | 43.2 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 680 | 1088 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 40 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 30 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 69 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 34 |
掃二維碼進入手機網站