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產(chǎn)品分類

Product Categories
電源管理MOS管 13N65 TO-220
電源管理MOS管 13N65 TO-220
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：高壓MOS管
產(chǎn)品型號：13N65
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題：電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場效應(yīng)管 高壓MOS參數(shù)
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場效應(yīng)管 高壓MOS參數(shù)



650V場效應(yīng)管 13N65的產(chǎn)品特點：

  • VDS=650V

  • ID=13A

  • RDS(ON)＜0.5Ω@VGS=10V

  • 封裝：TO-220



650V場效應(yīng)管 13N65的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：650V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：13A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：48A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：550mJ

  • 總耗散功率 PD：120W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.04℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：100℃/W



650V場效應(yīng)管 13N65的電特性：

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=6A



0.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
12
S
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
14
Ciss輸入電容
2000
pF
Coss輸出電容
160
Crss反向傳輸電容
18
td(on)開啟延遲時間
28
ns
tr開啟上升時間

26


td(off)關(guān)斷延遲時間
64
tf
開啟下降時間
45

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