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產(chǎn)品分類

Product Categories
國產(chǎn)高電壓MOS 13N65 TO-220F
國產(chǎn)高電壓MOS 13N65 TO-220F
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：高壓MOS管
產(chǎn)品型號：13N65
產(chǎn)品封裝：TO-220F
產(chǎn)品標題：650VNMOS 國產(chǎn)高電壓MOS 13N65 TO-220F 高頻電路場效應管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


650VNMOS 國產(chǎn)高電壓MOS 13N65 TO-220F 高頻電路場效應管



650VNMOS 13N65的應用領域：

  • 硬開關和高頻電路

  • 功率切換應用程序

  • UPS 不間斷電源



650VNMOS 13N65的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓650
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續(xù)13A
IDM漏極電流-脈沖48
EAS單脈沖雪崩能量550mJ
PD總耗散功率120W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻100℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻1.04
TSTG存儲溫度-55~+150℃
TJ工作結(jié)溫-55~+150



650VNMOS 13N65的電特性：

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=6A



0.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
12
S
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
14
Ciss輸入電容
2000
pF
Coss輸出電容
160
Crss反向傳輸電容
18
td(on)開啟延遲時間
28
ns
tr開啟上升時間

26


td(off)關斷延遲時間
64
tf
開啟下降時間
45


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