650V 大封裝MOS管 4N65 TO-220 電源用高壓MOS 國產(chǎn)大芯片
大封裝MOS管 4N65的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=650V
ID=4A
RDS(ON)＜2.4Ω@VGS=10V
封裝：TO-220
大封裝MOS管 4N65的應(yīng)用領(lǐng)域：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
大封裝MOS管 4N65的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 4 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 16 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 160 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 4 | A |
| EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 20 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 36 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.47 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
大封裝MOS管 4N65的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A | 2 | 2.4 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 580 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 69.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10.9 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 12 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 22 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 50 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 48 |
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