650V貼片MOS 2N65 TO-252 國(guó)產(chǎn)高壓MOS管 電源管理用 國(guó)產(chǎn)大芯
650V貼片MOS 2N65的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=650A
ID=2A
RDS(ON)＜4.8Ω@VGS=10V
封裝：TO-252
650V貼片MOS 2N65的用途：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
650V貼片MOS 2N65的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 2 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 6 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 2.4 | A |
| EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 6.4 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 25 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | ||
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
650V貼片MOS 2N65的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A | 4 | 4.8 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 310 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 39 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 6 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 33 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 23 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 59 |
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