照明設(shè)備用MOS 40N60 TO-247 大封裝場效應(yīng)管 MOSFET 600V/40A
照明設(shè)備用MOS 40N60的應(yīng)用領(lǐng)域：
太陽逆變器
照明設(shè)備
服務(wù)器電源
照明設(shè)備用MOS 40N60的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 600 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 40 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 25 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 (TC=25℃) | 120 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 793.6 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 261 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.48 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
照明設(shè)備用MOS 40N60的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 600 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 0.085 | 0.096 | Ω | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A，TJ=150℃ | 0.2 | ||||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 56.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 16.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 16.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3190.3 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280.1 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 1.69 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 36.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 34.7 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 104.7 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.7 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
