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產(chǎn)品分類

Product Categories
高壓塑封MOS管 11N60 TO-220F
高壓塑封MOS管 11N60 TO-220F
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：高壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：11N60
產(chǎn)品封裝：TO-220F
產(chǎn)品標(biāo)題：高壓塑封MOS管 11N60 TO-220F 電源應(yīng)用MOS N型MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


高壓塑封MOS管 11N60 TO-220F 電源應(yīng)用MOS N型MOSFET



高壓塑封MOS管 11N60的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



高壓塑封MOS管 11N60的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：600V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：11A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：48A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：660mJ

  • 總耗散功率 PD：55W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.27℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：100℃/W



高壓塑封MOS管 11N60的電特性：

(如無特殊說明，TA=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓600

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=6A


510620mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
12
S
Qg柵極電荷
44
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
16
Ciss輸入電容
1540
pF
Coss輸出電容
180
Crss反向傳輸電容
8
td(on)開啟延遲時(shí)間
16
ns
tr開啟上升時(shí)間

26


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
65
tf
開啟下降時(shí)間
40


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