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產(chǎn)品分類

Product Categories
LED用場效應(yīng)管 20N50 TO-220F
LED用場效應(yīng)管 20N50 TO-220F
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：高壓MOS管
產(chǎn)品型號：20N50
產(chǎn)品封裝：TO-220F
產(chǎn)品標(biāo)題：LED用場效應(yīng)管 20N50 TO-220F 500V 國產(chǎn)MOSFET MOS應(yīng)用參數(shù)
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


LED用場效應(yīng)管 20N50 TO-220F 500V 國產(chǎn)MOSFET MOS應(yīng)用參數(shù)



LED用場效應(yīng)管 20N50的產(chǎn)品特點(diǎn)：

  • VDS=500V

  • ID=20V

  • RDS(ON)＜0.3Ω@VGS=10V

  • 封裝：TO-220F



LED用場效應(yīng)管 20N50的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：500V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：20A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：80A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：1200mJ

  • 總耗散功率 PD：45W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.78℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W



LED用場效應(yīng)管 20N50的電特性：

(如無特殊說明，TA=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓500540
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=10A


0.230.3Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓23.24V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
54.5
nC
Qgs柵源電荷密度

13.2


Qgd柵漏電荷密度
18.7
Ciss輸入電容
3059
pF
Coss輸出電容
291
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時(shí)間
37
ns
tr開啟上升時(shí)間

70


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
89
tf
開啟下降時(shí)間
49



LED用場效應(yīng)管 20N50的封裝外形尺寸圖：

image.png


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