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產(chǎn)品分類

Product Categories
300V高壓MOS 2N30 SOT23-3L
300V高壓MOS 2N30 SOT23-3L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:高壓MOS管
產(chǎn)品型號:2N30
產(chǎn)品封裝:SOT23-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:300V高壓MOS 2N30 SOT23-3L 貼片小MOS管 UPS場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


300V高壓MOS 2N30 SOT23-3L 貼片小MOS管 UPS場效應(yīng)管



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300V高壓MOS 2N30的產(chǎn)品特點:

  • VDS=300V

  • ID=2A

  • RDS(ON)<4Ω@VGS=10V

  • 封裝:SOT23-3L



300V高壓MOS 2N30的用途:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



300V高壓MOS 2N30的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:300V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:2A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:12A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:30mJ

  • 重復(fù)雪崩能量 EAR:0.9mJ

  • 總耗散功率 PD:35.2W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:3.55℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:60℃/W



300V高壓MOS 2N30的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓300

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=1.5A


34Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
4.4
nC
Qgs柵源電荷密度

0.7
Qgd柵漏電荷密度
2
Ciss輸入電容
138
pF
Coss輸出電容
30
Crss反向傳輸電容
5
td(on)開啟延遲時間
18
ns
tr開啟上升時間

55


td(off)關(guān)斷延遲時間
60
tf
開啟下降時間
55


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