美女自拍偷拍亚洲一区,在线播放亚洲丝袜美腿,青青草在线激情免费视频,黄色在线观看网站免费播放,亚洲婷婷一区二区三区,龙口护士门91午夜国产在线,一区二区三区四区五区人妻,97人人碰在线免费视频,久久人妻公开中文字幕免费

宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國(guó)產(chǎn)可控硅,高壓可控硅,達(dá)林頓芯片等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用服務(wù)。
當(dāng)前位置: 首頁 ? 產(chǎn)品中心 ? 宇芯微產(chǎn)品 ? MOS管 ? 中低壓MOS管 ? 50N25 TO-247 大封裝MOS管

產(chǎn)品分類

Product Categories
50N25 TO-247 大封裝MOS管
50N25 TO-247 大封裝MOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):50N25
產(chǎn)品封裝:TO-247
產(chǎn)品標(biāo)題:250V/50A NMOS 高壓MOSFET 50N25 TO-247 大封裝MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


250V/50A NMOS 高壓MOSFET 50N25 TO-247 大封裝MOS管



高壓MOSFET 50N25的特點(diǎn):

  • VDS=250V

  • ID=50A

  • RDS(ON)<85mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-247



高壓MOSFET 50N25的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 功率放大器

  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)



高壓MOSFET 50N25的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:250V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:50A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:180A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:973mJ

  • 雪崩電流 IAS:36A

  • 重復(fù)雪崩能量 EAR:584mJ

  • 總耗散功率 PD:65W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.89℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:60℃/W



高壓MOSFET 50N25的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓250

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=22.5A


7085
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
244
nC
Qgs柵源電荷密度

16
Qgd柵漏電荷密度
143
Ciss輸入電容
3539
pF
Coss輸出電容
535
Crss反向傳輸電容
309
td(on)開啟延遲時(shí)間
57
ns
tr開啟上升時(shí)間

145


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
960
tf
開啟下降時(shí)間
235


產(chǎn)品推薦

Product recommendations
*本站相關(guān)網(wǎng)頁素材及相關(guān)資源均來源互聯(lián)網(wǎng),如有侵權(quán)請(qǐng)速告知,我們將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)刪除*
技術(shù)支持:東莞網(wǎng)站建設(shè)