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P溝道MOS管 4P20 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 功率放大器MOS

P溝道MOS管 4P20的產(chǎn)品特點(diǎn)：

• V_DS=-200V

• I_D=-4A

• R_DS(ON)＜1.7Ω@V_GS=-10V

• 封裝：TO-252
  

P溝道MOS管 4P20的用途：

• 功率放大器

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

P溝道MOS管 4P20的極限值：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-200V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：-4A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：-14A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：310mJ

• 重復(fù)雪崩能量 E_AR：4.2mJ
  

• 總耗散功率 P_D：42W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~+150℃

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：3℃/W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：110℃/W

P溝道MOS管 4P20的電特性：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，T_J=25℃)