200V/75A 低內(nèi)阻NMOS管 75N20 TO-220 PWM程序用MOS 插件場(chǎng)效應(yīng)管
PWM程序用MOS 75N20的特點(diǎn)：
VDS=200V
ID=75A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
PWM程序用MOS 75N20的應(yīng)用領(lǐng)域：
負(fù)載開(kāi)關(guān)
PWM程序
電源管理
PWM程序用MOS 75N20的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 75 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 300 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 300 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 375 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.45 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | 150 |
PWM程序用MOS 75N20的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=40A | 17 | 20 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 3.6 | 5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 50 | 65 | S | |
| Qg | 柵極電荷 | 85 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 15 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 25 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 7500 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 500 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 210 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 45 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 70 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 110 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 90 |
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