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產(chǎn)品分類

Product Categories
功率放大器MOS管 34N20 TO-220
功率放大器MOS管 34N20 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):34N20
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:功率放大器MOS管 34N20 TO-220 200V/34A 插件N溝道MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


功率放大器MOS管 34N20 TO-220 200V/34A 插件N溝道MOS



插件N溝道MOS 34N20的特點(diǎn):

  • VDS=200V

  • ID=34A

  • RDS(ON)<85mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



插件N溝道MOS 34N20的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 功率放大器

  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)



插件N溝道MOS 34N20的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:200V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:34A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:112A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:588mJ

  • 總耗散功率 PD:158W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.79℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



插件N溝道MOS 34N20的電特性:

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=14A


6085
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
103136nC
Qgs柵源電荷密度

16
Qgd柵漏電荷密度
53
Ciss輸入電容
28793742pF
Coss輸出電容
362470
Crss反向傳輸電容
81105
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
2869
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

251

494
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
309617
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
220412


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