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產(chǎn)品分類

Product Categories
200V/5A 5N20 TO-251 UPS電源MOS
200V/5A 5N20 TO-251 UPS電源MOS
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:5N20
產(chǎn)品封裝:TO-251
產(chǎn)品標(biāo)題:場效應(yīng)管應(yīng)用 200V/5A 5N20 TO-251 UPS電源MOS N溝道MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


場效應(yīng)管應(yīng)用 200V/5A 5N20 TO-251 UPS電源MOS N溝道MOS管



UPS電源MOS 5N20的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • VDS=200V

  • ID=5A

  • RDS(ON)<0.58Ω@VGS=10V

  • 封裝:TO-251



UPS電源MOS 5N20的用途:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



UPS電源MOS 5N20的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓200
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)5A
IDM漏極電流-脈沖20
EAS單脈沖雪崩能量45mJ
IAR
雪崩電流3A
PD總耗散功率46W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻60℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻2.7
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



UPS電源MOS 5N20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=2.5A


0.420.58Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
18
nC
Qgs柵源電荷密度

1.5
Qgd柵漏電荷密度
9.5
Ciss輸入電容
228
pF
Coss輸出電容
48
Crss反向傳輸電容
17
td(on)開啟延遲時(shí)間
10
ns
tr開啟上升時(shí)間

19


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
43
tf
開啟下降時(shí)間
32


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