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產(chǎn)品分類

Product Categories
低內(nèi)阻 電源用N溝道MOS 30N15 TO-252
低內(nèi)阻 電源用N溝道MOS 30N15 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):30N15
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:宇芯微 低內(nèi)阻 電源用N溝道MOS 30N15 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 低內(nèi)阻 電源用N溝道MOS 30N15 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管



電源用N溝道MOS 30N15的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • UPS不間斷電源



電源用N溝道MOS 30N15的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓150
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)30A
IDM漏極電流-脈沖60
PD總耗散功率72.6W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻55℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻2
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~175
TJ工作結(jié)溫-55~175



電源用N溝道MOS 30N15的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150165
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


4352
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=10A


4570
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓1.21.82.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
23
nC
Qgs柵源電荷密度

5.8
Qgd柵漏電荷密度
4.2
Ciss輸入電容
1190
pF
Coss輸出電容
73
Crss反向傳輸電容
4
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
16.2
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

18.6


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
28.5
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
6.5


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