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產(chǎn)品分類

Product Categories
150V/10A 10N15 TO-252 負(fù)載開關(guān)MOS管
150V/10A 10N15 TO-252 負(fù)載開關(guān)MOS管
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):10N15
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:貼片大電流MOS 150V/10A 10N15 TO-252 負(fù)載開關(guān)MOS管 N型MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片大電流MOS 150V/10A 10N15 TO-252 負(fù)載開關(guān)MOS管 N型MOSFET



N型MOSFET 10N15的應(yīng)用:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



N型MOSFET 10N15的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓150
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)10A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)6.1
IDM漏極電流-脈沖30
PD總耗散功率(TC=25℃)32.1W
總耗散功率(TA=25℃)20.5
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62.5℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.9
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



N型MOSFET 10N15的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓150170
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=7A


285345
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


290365
VGS(th)
柵極開啟電壓11.63V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
17.5
nC
Qgs柵源電荷密度

4.5
Qgd柵漏電荷密度
4.7
Ciss輸入電容
538
pF
Coss輸出電容
55
Crss反向傳輸電容
21
td(on)開啟延遲時(shí)間
11.6
ns
tr開啟上升時(shí)間

9.3


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
29.3
tf
開啟下降時(shí)間
3.7


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