150V/4A NMOSFET 4N15 SOT-23-3L 貼片功率MOS管 MOS管4N15
NMOSFET 4N15的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
NMOSFET 4N15的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 4 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 9 | |
| PD | 總耗散功率 | 2 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
NMOSFET 4N15的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | 165 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1.5A | 220 | 280 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1.5A | 230 | 300 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.8 | 3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 235 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 36 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 20 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 10 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 15 |
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