手機(jī)快充用 MOSFET 110N12 TO-263 貼片功率MOS 120V 國(guó)產(chǎn)MOS
MOSFET 110N12的用途：
消費(fèi)電子電源電機(jī)控制器
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
MOSFET 110N12的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 110 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 330 | |
| PD | 總耗散功率 | 192 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 400 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.65 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
MOSFET 110N12的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 5 | 6.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 68.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 18.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5823 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 778.8 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 17.5 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 30.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 33 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 59.5 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 11.7 |
MOSFET 110N12的封裝外形尺寸圖：
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