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產(chǎn)品分類

Product Categories
120V/110A 國產(chǎn)中低壓MOS 110N12 TO-220
120V/110A 國產(chǎn)中低壓MOS 110N12 TO-220
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：110N12
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題：同步整流MOS管 120V/110A 國產(chǎn)中低壓MOS 110N12 TO-220 MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


同步整流MOS管 120V/110A 國產(chǎn)中低壓MOS 110N12 TO-220 MOSFET



同步整流MOS管 110N12的極限值：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓120
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)110A
IDM漏極電流-脈沖330
PD總耗散功率192W
EAS單脈沖雪崩能量400mJ
RθJA
結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻0.65
TSTG存儲溫度-55~150℃
TJ工作結(jié)溫-55~150



同步整流MOS管 110N12的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓120

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


56.5mΩ
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
68.9
nC
Qgs柵源電荷密度

18.1
Qgd柵漏電荷密度
15.9
Ciss輸入電容
5823
pF
Coss輸出電容
778.8
Crss反向傳輸電容
17.5
td(on)開啟延遲時間
30.3
ns
tr開啟上升時間

33


td(off)關(guān)斷延遲時間
59.5
tf
開啟下降時間
11.7


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