美女自拍偷拍亚洲一区,在线播放亚洲丝袜美腿,青青草在线激情免费视频,黄色在线观看网站免费播放,亚洲婷婷一区二区三区,龙口护士门91午夜国产在线,一区二区三区四区五区人妻,97人人碰在线免费视频,久久人妻公开中文字幕免费

宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國產(chǎn)可控硅,高壓可控硅,達林頓芯片等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用服務(wù)。
當前位置: 首頁 ? 產(chǎn)品中心 ? 宇芯微產(chǎn)品 ? MOS管 ? 中低壓MOS管 ? 110V 電源用NMOS 100N11 TO-263

產(chǎn)品分類

Product Categories
110V 電源用NMOS 100N11 TO-263
110V 電源用NMOS 100N11 TO-263
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:100N11
產(chǎn)品封裝:TO-263
產(chǎn)品標題:110V 電源用NMOS 100N11 TO-263 貼片MOSFET 大電流場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


110V 電源用NMOS 100N11 TO-263 貼片MOSFET 大電流場效應(yīng)管



電源用NMOS 100N11的特點:

  • VDS=110V

  • ID=100A

  • RDS(ON)<16mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-263



電源用NMOS 100N11的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電源轉(zhuǎn)換裝置

  • 硬開關(guān)和高頻電路

  • UPS不間斷電源



電源用NMOS 100N11的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:110V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:100A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:300A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:300mJ

  • 總耗散功率 PD:273W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~+175℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.55℃/W



電源用NMOS 100N11的電特性:

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓110120
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


1216
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
110
nC
Qgs柵源電荷密度

22
Qgd柵漏電荷密度
39
Ciss輸入電容
3150
pF
Coss輸出電容
350
Crss反向傳輸電容
240
td(on)開啟延遲時間
20
ns
tr開啟上升時間

16


td(off)關(guān)斷延遲時間
69
tf
開啟下降時間
19


產(chǎn)品推薦

Product recommendations
*本站相關(guān)網(wǎng)頁素材及相關(guān)資源均來源互聯(lián)網(wǎng),如有侵權(quán)請速告知,我們將會在24小時內(nèi)刪除*
技術(shù)支持:東莞網(wǎng)站建設(shè)