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產(chǎn)品分類

Product Categories
-100V/-30A P溝道MOS管 30P10 TO-252
-100V/-30A P溝道MOS管 30P10 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:30P10
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:低內(nèi)阻MOS管 -100V/-30A P溝道MOS管 30P10 TO-252 場效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低內(nèi)阻MOS管 -100V/-30A P溝道MOS管 30P10 TO-252 場效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域



P溝道MOS管 30P10的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



P溝道MOS管 30P10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-30A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-90A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:157.2mJ

  • 雪崩電流 IAS:19A

  • 總耗散功率 PD:280W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:2.3℃/W



P溝道MOS管 30P10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


6895
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


78110
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.7-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
24
S
Qg柵極電荷
44.5
nC
Qgs柵源電荷密度

9.13
Qgd柵漏電荷密度
5.93
Ciss輸入電容
3029
pF
Coss輸出電容
129
Crss反向傳輸電容
76
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

27.4


td(off)關(guān)斷延遲時間
79
tf
開啟下降時間
53.6


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