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產(chǎn)品分類

Product Categories
P溝道小MOS管 13P10 TO-252
P溝道小MOS管 13P10 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:13P10
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:P溝道小MOS管 13P10 TO-252 電源開關用MOS -100V場效應管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


P溝道小MOS管 13P10 TO-252 電源開關用MOS -100V場效應管



P溝道小MOS管 13P10的產(chǎn)品特點:

  • VDS=-100V

  • ID=-13A

  • RDS(ON)<170mΩ@VGS=-10V

  • 高密度電池設計

  • 低導通內阻

  • 封裝:TO-252



P溝道小MOS管 13P10的應用領域:

  • 電源開關

  • DC/DC變換



P溝道小MOS管 13P10的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-13A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-30A

  • 總耗散功率 PD:40W

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:110mJ

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



P溝道小MOS管 13P10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-16A


145175
VGS(th)
柵極開啟電壓-1
-3V
IGSS柵極漏電流

±10μA
gfs正向跨導12

S
Qg柵極電荷
25
nC
Qgs柵源電荷密度

5
Qgd柵漏電荷密度
7
Ciss輸入電容
760
pF
Coss輸出電容
260
Crss反向傳輸電容
170
td(on)開啟延遲時間
14
ns
tr開啟上升時間

18


td(off)關斷延遲時間
50
tf
開啟下降時間
18


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