NMOS管替換 180N10 TO-263 同步整流MOS管 3mΩ 中低壓MOS
NMOS管替換 180N10的特點(diǎn)：
低內(nèi)阻
極低的開關(guān)損耗
封裝：TO-263
NMOS管替換 180N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 180 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 690 | |
| PD | 總耗散功率 | 390.6 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 726 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.4 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
NMOS管替換 180N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 111 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2.9 | 3.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 84 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 24 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 27 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4797 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 900 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 19.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 21 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 35 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 49 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 30 |
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