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產(chǎn)品分類

Product Categories
4.6mΩ N溝道MOS管 130N10 TO-220
4.6mΩ N溝道MOS管 130N10 TO-220
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：130N10
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題：4.6mΩ N溝道MOS管 130N10 TO-220 消費(fèi)電子MOS管 功率MOS選型
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


4.6mΩ N溝道MOS管 130N10 TO-220 消費(fèi)電子MOS管 功率MOS選型



N溝道MOS管 130N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 消費(fèi)電子電源

  • 馬達(dá)控制

  • 同步整流

  • 同步整流應(yīng)用程序 



N溝道MOS管 130N10的極限值：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：130A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：390A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：400mJ

  • 總耗散功率 PD：192W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作溫度 TJ：-55~150℃ 

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.65℃/W



N溝道MOS管 130N10的電特性：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=60A


44.6mΩ
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
101.6
nC
Qgs柵源電荷密度

20.6
Qgd柵漏電荷密度
28.7
Ciss輸入電容
6124.6

pF
Coss輸出電容
792.3
Crss反向傳輸電容
15.1
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
28.2
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

7.5


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
81.9
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
20.1


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