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產(chǎn)品分類

Product Categories
120N10 TO-220 120A 大電流插件MOS
120N10 TO-220 120A 大電流插件MOS
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):120N10
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:馬達(dá)用MOS管 120N10 TO-220 120A 大電流插件MOS 國(guó)產(chǎn)替換MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


馬達(dá)用MOS管 120N10 TO-220 120A 大電流插件MOS 國(guó)產(chǎn)替換MOS



馬達(dá)用MOS管 120N10的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • 低內(nèi)阻

  • 極低的開關(guān)損耗

  • 封裝:TO-220



馬達(dá)用MOS管 120N10的應(yīng)用:

  • 消費(fèi)電子電源

  • 馬達(dá)控制

  • 同步整流

  • 同步整流應(yīng)用程序



馬達(dá)用MOS管 120N10的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:120A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:310A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:130mJ

  • 總耗散功率 PD:148W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作溫度 TJ:-55~150℃ 

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:0.84℃/W



馬達(dá)用MOS管 120N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=12A


5.88
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=9A


8.510
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
65.7
nC
Qgs柵源電荷密度

8.4
Qgd柵漏電荷密度
12.2
Ciss輸入電容
3530

pF
Coss輸出電容
560.1
Crss反向傳輸電容
9
td(on)開啟延遲時(shí)間
22.5
ns
tr開啟上升時(shí)間

8.6


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
66.6
tf
開啟下降時(shí)間
42.1

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